Роль електростатики і контактів в концепції наноелектроніки “знизу – вгору”

Автори: Ю.О. Кругляк, Л.В. Ременяк

Рік: 2015

Випуск: 19

Сторінки: 182-194

Анотація

У рамках концепції «знизу – вгору» наноелектроніки розглядається дифузійно-дрейфова модель струму на основі транспортного рівняння Больцмана, роль зовнішнього електричного поля при виході за межі режиму лінійного відгуку, польовий транзистор і струм насичення, роль заряджання провідника, точкова і розширена моделі провідника, роль контактів, моделі p – n переходів, генерація струму в провіднику з асиметричними контактами.

Теги: дифузійно-дрейфовая модель; молекулярна електроніка; роль контактів; струм насичення

Список літератури

  1. Кругляк Ю.О., Кругляк Н.Ю., Стріха М.В. Уроки наноелектроніки. Виникнення струму, формулювання закону Ома і моди провідності в концепції «знизу – вгору» // Sensor Electronics Microsys. Tech., 2012, vol.9, no.4, pp. 5-30.
  2. Кругляк Ю.О., Кругляк Н.Ю., Стріха М.В. Уроки наноелектроніки. Спінтроніка в концепції «знизу – вгору» // Sensor Electronics Microsys. Tech., 2013, vol.10, no.2. pp. 5-37.
  3. Datta Supriyo. Lessons from Nanoelectronics: A New Per-spective on Transport. – Hackensack, New Jersey: World Sci-entific Publishing Company., 2012, pp. 473; www.nanohub.org/courses/FoN1.
  4. Einstein A. Über die von der molekularkinetischen Theorie der Wärme geforderte Bewegung von in ruhenden Flüssig-keiten suspendierten Teilchen // Ann. Physik. 1905, vol.322, no.8, pp. 549-560.
  5. Lindsay Stuart. Introduction to Nanoscience. – Oxford, Eng-land: Oxford University Press., 2009, pp. 472.
  6.  Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела, тома 1 и 2. – М: Мир. – 1979.
  7. Кругляк Ю.О., Стріха М.В. Уроки наноелектроніки. Ефект Хола і вимірювання електрохімічних потенціалів в концепції «знизу – вгору» // Sensor Electronics Microsys. Tech., 2014, vol.11, no.1, pp. 5-27.
  8.  Sears F.W., Salinger G.L. Thermodynamics, Kinetic Theory, and Statistical Thermodynamics. – Boston: Addison-Wesley, 1975.
  9.  Кругляк Ю.А. Графен в транспортной модели Ландауэра – Датты – Лундстрома // ScienceRise, 2015, Т.2: no.2(7), pp. 93-106.
  10.  Кругляк Ю.А., Кругляк Н.Е. Методические аспекты рас-чета зонной структуры графена с учетом σ–остова. Теоре-тические основы // Вісник Одеського держ. екологічного ун-ту. – 2012, В. 13. – С. 207 – 218.
  11. Rabiu M., Mensah S.Y., Abukari S.S. General Scattering Mechanism and Transport in Graphene // Graphene2013, vol.2, no.1, pp. 49-54.
  12.  Bode N., Mariani E., von Oppen F. Transport properties of graphene functionalized with molecular switches // J. Phys.: Condens. Matter, 2012, vol.24. pp. 394017/1-10.
  13.  Dong H.M., Xu W., Peeters F.M. High-field transport proper-ties of graphene // J. Appl. Phys2011, vol.110, pp. 063704/1-6.
  14.  Chauhan J., Guo Jing. Inelastic Phonon Scattering in Gra-phene FETs // IEEE Trans. Electron Dev. 2011,vol.58, no.11, pp. 3997-4003.
  15. Peres N.M.R. The transport properties of graphene. An intro-duction // Rev. Mod. Phys. 2010, vol.82, no.3, pp. 2673-2700.
  16.  Barreiro A., Lazzeri M., Moser J., Mauri F., Bachtold A. Transport properties of graphene in the high-current limit // Phys. Rev. Lett. 2009, vol.103, pp. 076601/1- 4.
  17.  Больцман Людвиг. Избранные труды. – М: Мир. – 1984. – 590 с.
  18. Salahuddin S., Lundstrom M., Datta S. Transport Effects on Signal Propagation in Quantum Wires // IEEE Trans. Electron Dev., 2005, vol.52, no.8, pp. 1734-1742.
  19. Кругляк Ю.О., Кругляк Н.Ю., Стріха М.В. Уроки наноелектроніки: Термоелектричні явища в концепції «знизу – вгору» // Sensor Electronics Microsys. Tech, 2013, vol.10, no.1, pp. 6-21.
  20.  Rahman A., Guo Jing, Datta S., Lundstrom M. Theory of Bal-listic Nanotransistors // IEEE Trans. Electron Dev., 2003, vol.50, no.9, pp. 1853-1864.
  21.  Pierret Robert F. Semiconductor Device Fundamentals. – Reading, MA: Addison–Wesley. 1996, pp. 791.
Завантажити повний текст (PDF)