Авторы: Ю.А. Кругляк, Л.С. Кострицкая
Год: 2015
Выпуск: 19
Страницы: 155-169
Аннотация
В рамках концепции «снизу – вверх» наноэлектроники рассматриваются общие вопросы электронной проводимости, причины возникновения тока, роль электрохимических потенциалов, функций Ферми и фермиевского окна проводимости, модель упругого резистора, различные режимы транспорта электронов, моды проводимости, коэффициент прохождения. Излагается обобщенная модель транспорта электронов в режиме линейного отклика, развитая Р. Ландауэром, С. Даттой и М. Лундстромом применительно к проводникам любой размерности, любого масштаба и произвольной дисперсии, работающих в баллистическом, квази-баллистическом или диффузионном режиме.
Теги: коэффициент прохождения; моды проводимости; нанофизика; наноэлектроника; упругий резистор
Список литературы
- Mitin V.V, Kochelap V.A, Stroscio M.A, Introduction to Nanoe-lectronics: Science, Nanotechnology, Engineering, and Applica-tions. Cambridge: Cambridge University Press, 2012.
- Hoefflinger B. (Ed.). Chips 2020: A Guide to the Future of Nanoe-lectronics. Berlin: Springer-Verlag, 2012.
- Мартинес-Дуарт Дж.М. Нанотехнологии для микро- и опто-электроники / Дж.М. Мартинес-Дуарт , Р.Дж. Мартин-Палма , Ф. Агулло-Руеда. — Москва: Техносфера, 2007.
- Драгунов В.П..Основы наноэлектроники / Неизвестный И.Г., Гридчин В.А — (Москва: Логос: 2006).
- Drude P. Zur Elektronentheorie der metalle. Ann. Physik., 1900, vol. 306, no.3, pp. 566 , doi:10.1002/andp.19003060312.
- Drude P. Zur Elektronentheorie der Metalle: ІІ. Teill. Galvanomagnetische und thermomagnetische Effecte. Ann. Physik., 1900, vol. 308, no.11, pp.369 , doi: 10.1002/andp.19003081102.
- Ашкрофт Н. Физика твердого тела / Мермин Н. — (М: Мир:1979).
- Smit R.H.M., Noat Y., Untiedt C., Lang N.D., van Hemert M.C., van Ruitenbeek J.M. Nature, 2002, vol.419, no. 3, pp.906.
- Fuechsle M., Miwa J.A., Mahapatra S., Ryu H., Lee S., Warschkow O., Hollenberg L.C.L., Klimeck G., Simmons M.Y., Nature Nanotech., 2012, vol.7, pp.242.
- Lundstrom M., Datta S. Electronics from the Bottom Up: A New Approach to Nanoelectronic Devices and Materials. Available at: http://www.nanohub.org/topics/ElectronicsFromTheBottomUp.
- Lundstrom M., Near-Equilibrium Transport: Fundamentals and Applications. Available at: http://www.nanohub.org/resources/11763).
- Datta S. Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing-Compan 2012. Available at: http://www.nanohub.org/courses/FoN1.
- Lundstrom M., Jeong C. Near-Equilibrium Transport: Fundamen-tals and Applications. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 2013.
- Landauer R. Spatial variation of currents and fields due to localized scatterers in metallic conduction. IBM J. Res. Dev., 1957, vol. 1, no.3: pp. 223-231.
- Landauer R. Electrical resistance of disordered one dimensional lattices. Philos. Mag.,1970, vol. 21, pp. 863-867.
- Landauer R. Electrical resistance of disordered one dimensional lattices. J.Math. Phys.,1996, vol. 37, no. 10,. 5259 р.
- Datta S. Electronic Transport in Mesoscopic Systems. Cambridge: Cambridge University Press, 2001.
- Datta S. Quantum Transport: Atom to Transistor. Cambridge: Cambridge University Press, 2005.
- Lundstrom M. Nanoscales Transistors. Available at: http://www.nanohub.org/courses/NT.
- Pierret R.F. Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA: Addison–Wesley, 1996.
- Кругляк Ю.А., Кругляк Н.Е. Методические аспекты расчета зонной структуры графена с учетом G-остова. Теоретические основы. // Вісник Од. держ. екол. ун-ту.– 2012. – Вип. 13. — С. 207- 218.
- Jeong C., Kim R., Luisier M., Datta S., Lundstrom M. Appl. J.Phys., 2010, no. 107, pp. 023707.
- Howard C.Berg, Random walks in biology (Princeton: Princeton University Press: 1993).
- Кругляк Ю.А., Кругляк Н.Е. Уроки наноэлектроники 2. Модель упругого резистора и новая формулировка закона Ома в кон-цепции «снизу — вверх». //.Физич. образов. в вузах. — 2013, — Вип 19, С 2- 161.