От баллистической проводимости к диффузионной в обобщенной модели электронного транспорта в микро- и наноэлектронике»

Авторы: Кругляк Ю.А., Кострицкая Л.С.

Год: 2016

Выпуск: 20

Страницы: 78-90

Аннотация

В рамках транспортной модели Ландауэра – Датты – Лундстрома рассматривается вычисление проводимости резисторов любой размерности, любого масштаба и произвольной дисперсии, работающих в баллистическом или диффузионном режиме как вблизи 0 K, так и при более высоких температурах. Также обсуждается и поныне широко используемое понятие подвижности, диссипация тепла и падение напряжения в баллистических резисторах.

Теги: баллистический режим; диффузионный режим; нанофизика; наноэлектроника; электрическая проводимость

Список литературы

  1. Кругляк Ю.А. Обобщенная модель электронного транспорта Ландауэра – Датты – Лундстрома //Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2013. — Вип. 11, №3. — С. 519 – 549; Erratum, Ibid, 2014, Вып. 12, № 2, С.
  2. Pierret R.F. Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA: Addison–Wesley, 1996.
  3. Van WeesB.J., vanHouten H., Beenakker C.J., Williamson J.G., Kouwenhoven L.P., van der Marel D., Foxon C.T. Quantized Conductance of Point Contacts in a Two-Dimensional Electron Gas. Phys. Rev. Lett., 1988, Vol. 60, no. 9, рр. 848–850.
  4. Holcomb D.F. Quantum Electrical Transport in samples of limited dimensions. J. Phys., 1999, vol. 67, no. 4, 278 p.
  5. Cvijovic D. Fermi — Dirac and Bose — Einstein functions of negative integer order. Math. Phys., 2009, vol. 161, no. 3, 163 p.
  6. Dingle R.. The Fermi — Dirac Integrals. Scientific Res., 1957, vol. 6, no. 1, 225 p.
  7. .Kim R, M.S. Lundstrom. Notes on Fermi — Dirac Integrals. http://nanohub.org/resources/5475.
  8. Lundstrom Mark. Fundamentals of Carrier Transport, 2nd Ed. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 2000.
  9. Peter Yu, Manuel Cardona. Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Berlin: Springer, 2010.
  10. Shur M.S. Low Ballistic Mobility in GaAs HEMTs. IEEE Electron Dev. Lett., 2002, vol. 23, no. 9, 511 p.
  11. Jing Wang, Mark Lundstrom. Ballistic Transport in High Electron Mobility Transistors. IEEE Trans. Electron Dev., 2003, vol. 50, no. 7, 1604 p.
  12. АшкрофтН. Физика твердого тела /Н. Ашкрофт, Н. Мермин.- М: Мир, 1979.
  13. Supriyo Datta. Electronic Transport in Mesoscopic Systems. Cambridge: Cambridge University Press, 2001.
  14. Zhen Yao, .Kane C.L, .Dekker C. High-Field Electrical Transport in Single-Wall Carbon Nanotubes, Rev. Lett., 2000, vol. 84, 13, 2941 p.
  15. Lundstrom M., Jeong. Near-Equilibrium Transport: Fundamentals and Applications. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 2013; http://www.nanohub.org/resources/11763).
Скачать полный текст (PDF)