Вісник Одеського державного екологічного університету
- redactor@odeku.edu.ua
- +38 0482 326 758
Показати випуск
Зміст
- Ю.А. Кругляк, Н.Е.Кругляк Уроки наноэлектроники. 1. Причины возникновения тока в концепции «снизу – вверх»
- Ю.А.Кругляк, Н.Е.Кругляк Уроки наноэлектроники. 2. Модель упругого резистора и новая формулировка закона Ома в концепции «снизу – вверх»
Статті
Автори: Ю.А. Кругляк, Н.Е.Кругляк
Сторінки: 197-206
анотація
Рік: 2012
Випуск: 14
Назва: Уроки наноэлектроники. 1. Причины возникновения тока в концепции «снизу – вверх»
Анотація
В рамках концепции «снизу – вверх» современной теоретической и прикладной наноэлектроники рассматриваются причины возникновения тока и роль электрохимических потенциалов и фермиевских функций в этом процессе.
Автори: Ю.А. Кругляк, Н.Е.Кругляк
Сторінки: 197-206
Теги: електричний струм; електрохімічний потенціал; знизу – нагору; молекулярна електроніка; молекулярная электроника; наноэлектроника; снизу–вверх; функция Ферми; электрический ток; электрохимический потенциал
- Mitin Vladimir V., Kochelap Viatcheslav A., Stroscio Michael A. Introduction to Nanoelectronics: Science, Nanotechnology, Engineering, and Applications. – Cambridge: Cambridge University Press. – 2012. – pp. 346.
- Hoefflinger Bernd (Editor). Chips 2020: A Guide to the Future of Nanoelectronics (Frontiers Collection). – Berlin: Springer-Verlag. – 2012. – pp. 505.
- Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. – Москва: Техносфера. – 2007. –368 с.
- Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники. – Москва: Логос. – 2006. – 496 с.
- Smit R.H.M., Noat Y., Untiedt C., Lang N.D., van Hemert M.C., van Ruitenbeek J.M. Measurment of the conductance of a hydrogen molecule // Nature. – 2002. – V. 419, N 3. – P. 906 – 909.
- Datta Supriyo. Electronic Transport in Mesoscopic Systems.- Cambridge: Cambridge University Press. – 2001. – pp. 377.
- Datta Supriyo. Quantum Transport: Atom to Transistor. – Cambridge: Cambridge University Press. – 2005. – pp. 404.
- www.nanohub.org/topics/ElectronicsFromTheBottomUp
- Landauer Rolf. Spatial variation of currents and fields due to localized scatterers in metallic conduction // IBM J. Res. Dev. – 1957. – V. 1, N 3. – P. 223 – 231.
- Landauer Rolf. Electrical resistance of disordered onedimensional lattices // Philos. Mag. – 1970. – V. 21. – P. 863 – 867.
- Landauer Rolf. Spatial variation of currents and fields due to localized scatterers in metallic conduction // J. Math. Phys. – 1996. – V. 37, N 10. – P. 5259.
- Datta Supriyo. Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. – Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company. – 2012. – pp. 340.
- Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела, том 1. – М: Мир. – 1979. – 400 с.
- Sears F.W., Salinger G.L. Thermodynamics, Kinetic Theory, and Statistical Thermodynamics. – Boston: Addison-Wesley. – 1975. – pp. 331 – 336, 355 – 361.
- Kubo R. Statistical-Mechanical Theory of Irreversible Processes.I. General Theory and Simple Applications to Magnetic and Conduction Problems // J.Phys.Soc. Japan. – 1957. – V. 12. – P. 570 – 586.
Автори: Ю.А.Кругляк, Н.Е.Кругляк
Сторінки: 207-216
анотація
Рік: 2012
Випуск: 14
Назва: Уроки наноэлектроники. 2. Модель упругого резистора и новая формулировка закона Ома в концепции «снизу – вверх»
Анотація
В рамках концепции «снизу – вверх» современной наноэлектроники рассматриваются модель упругого резистора, баллистический и диффузионный транспорт, моды проводимости и дается новая формулировка закона Ома.
Автори: Ю.А.Кругляк, Н.Е.Кругляк
Сторінки: 207-216
Теги: електричний струм; закон Ома; знизу – нагору; моды проводимости; молекулярна електроніка; молекулярная электроника; наноэлектроника; пружний резистор. моди провідності; снизу–вверх; упругий резистор; электрический ток
- Кругляк Ю.А., Кругляк Н.Е. Уроки наноэлектроники. 1. Причины возникновения тока в концепции «cнизу–вверх» // Вісник Одеського держ. екологічного ун-ту.- 2012, В. 14.- С. 197 – 206.
- Landauer Rolf. Spatial variation of currents and fields due to localized scatterers in metallic conduction // IBM J. Res. Dev. – 1957. – V. 1, N 3. – P. 223 – 231.
- Landauer Rolf. Electrical resistance of disordered onedimensional lattices // Philos. Mag. – 1970. – V. 21. – P. 863 – 867.
- Landauer Rolf. Spatial variation of currents and fields due to localized scatterers in metallic conduction // J. Math. Phys. – 1996. – V. 37, N 10. – P. 5259.
- Mitin Vladimir V., Kochelap Viatcheslav A., Stroscio Michael A. Introduction to Nanoelectronics: Science, Nanotechnology, Engineering, and Applications. – Cambridge: Cambridge University Press. – 2012. – pp. 346.
- Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. – Москва: Техносфера. – 2007. –368 с.
- Datta Supriyo. Electronic Transport in Mesoscopic Systems.- Cambridge: Cambridge University Press. – 2001. – pp. 377.
- Datta Supriyo. Quantum Transport: Atom to Transistor. – Cambridge: Cambridge University Press. – 2005. – pp. 404.
- www.nanohub.org/topics/ElectronicsFromTheBottomUp
- Datta Supriyo. Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. – Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company. – 2012. – pp. 340.
- Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. – Москва: Техносфера. – 2007. –368 с.
- Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники. – Москва: Логос. – 2006. – 496 с.
- Lundstrom M., Guo Jing. Nanoscale Transistors: Physics, Modeling, and Simulation. – Berlin: Springer. – 2006. – pp. 300.
- Hoefflinger Bernd (Editor). Chips 2020: A Guide to the Future of Nanoelectronics (Frontiers Collection). – Berlin: Springer-Verlag. – 2012. – pp. 505.
- Nazarov Yuli V., Blanter Yaroslav M. Quantum Transport. Introduction to nanoscience.– Cambridge: Cambridge University Press. – 2009. – pp. 590.
- Berg Howard C. Random walks in biology. – Princeton: Princeton University Press. – 1993. – pp. 152.