Автори: Кругляк Ю.О., Ременяк Л.В.
Рік: 2017
Випуск: 21
Сторінки: 105-119
Анотація
З позицій концепції «знизу – вгору» транспортної моделі Ландауера – Датти – Лундстрома отримані базові рівняння термоелектрики з відповідними транспортними коефіцієнтами для 1D провідників в балістичному режимі і для 3D провідників в дифузійному режимі з довільною дисперсією і будь-якого масштабу. Процеси розсіяння враховували феноменологічно. В коефіцієнті проходження T(E)(E)/[(E)L] середню довжину вільного пробігу враховували степеневим законом. Докладно розглянуті біполярна провідність, закон Відемана – Франца і числа Лоренца, співвідношення Мотта. В довідкових цілях у Додатку наведені термоелектричні коефіцієнти для 1D, 2D і 3D напівпровідників з параболічною дисперсією в балістичному і дифузійному режимах через стандартні інтеграли Фермі – Дірака.
Теги: інтеграли Фермі-Дірака; молекулярна електроніка; молекулярная электроника; нанофизика; наноэлектроника; термоелектричні коефіцієнти; термоэлектрические
Список літератури
- Кругляк Ю.О., Кругляк Н.Ю., Стріха М.В. Уроки наноелектроніки: виникнення струму, формулювання закону Ома і моди провідності в концепції «знизу – вгору» // Sensor Electronics Microsys. Tech. 2012. Т. 9, № 4. С. 5– 29.
- Кругляк Ю.О., Стріха М.В. Узагальнена модель электронного транспорту в мікро- і наноелектроніці // Sensor Electronics Microsys. Tech. 2015. Т. 12, № 3. С. 4–27.
- Кругляк Ю.О., Стріха М.В. Термоелектричні явища та пристрої з позицій узагальненої моделі транспорту електронів // Sensor Electronics Microsys. Tech. 2015. Т. 12, № 4. С. 5–18.
- Mark Lundstom, Jing Guo. Nanoscale Transistors: Physics, Modeling, and Simulation. Berlin: Springer, 2006.
- Kim R., Lundstrom M. S. Notes on Fermi–Dirac Inte-grals, arXiv:0811.0116. nanohub.org/resources/5475
- Lundstrom M., Jeong C. Near-Equilibrium Transport: Fun-damentals and Applications. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 2013, nanohub.org/resources/11763.
- Sommerfeld A. An electronic theory of the metals based on Fermi’s statistics. Phys, 1928, vol. 47, no. 1, pp. 1.
- Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Издательство Мир, 1979.
- Geballe T. N., Hull G. W. Seebeck Effect in Germanium. Rev., 1954, vol. 94, pp. 1134.
- Pierret R. F. Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA, Addison–Wesley, 1996.
- Ra Seong Kim. Physics and Simulation of Nanoscale Elec-tronic and Thermoelectric Devices. West Lafayette, Purdue University, 2011.
- Datta Supriyo. Lessons from Nanoelectronics: A New Per-spective on Transport. Hackensack, New Jersey: World Sci-entific Publishing Company, 2012, pp. 473. 2012: www.nanohub.org/courses/FoN1; 2015: www.edx.org/school/purduex.
- Кругляк Ю.А., Квакуш В.С., Дядюша Г.Г., Хильченко В.И. Методы вычислений в квантовой химии. Киев: Нaукова Думка. 1967.
- Глушков А.В., Кругляк Ю.А. Квазичастичный лагражев метод в теории атомов и ионов // В кн.: Актуальные проблемы спектроскопии. М.: Изд-вo АН СССР, 1985. 291 с.
- Кругляк Ю.А., Глушков А.В. Метод расчета энергий и длин химических связей в модели квазиэлектронов. // Журн. физич. химии. 1986. Т. 60. С. 1259.
- Glushkov A.V. Relativistic and correlation effects in spectra of atomic systems. Odessa: Astroprint, 2006.
- Glushkov A.V., Khetselius O.Y., Svinarenko A.A. Prepelitsa G.P. Energy approach to atoms in a laser field and quantum dynamics with laser pulses of different shape . In: Coherence and Ultrashort Pulse Laser Emission. Intech, 2010, p. 159. (Ed.: Dr. F. J. Duarte)