Уроки наноэлектроники. 2. Модель упругого резистора и новая формулировка закона Ома в концепции «снизу – вверх»

Автори: Ю.А.Кругляк, Н.Е.Кругляк

Рік: 2012

Випуск: 14

Сторінки: 207-216

Анотація

В рамках концепции «снизу – вверх» современной наноэлектроники рассматриваются модель упругого резистора, баллистический и диффузионный транспорт, моды проводимости и дается новая формулировка закона Ома.

Теги: електричний струм; закон Ома; знизу – нагору; моды проводимости; молекулярна електроніка; молекулярная электроника; наноэлектроника; пружний резистор. моди провідності; снизу–вверх; упругий резистор; электрический ток

Список літератури

  1. Кругляк Ю.А., Кругляк Н.Е. Уроки наноэлектроники. 1. Причины возникновения тока в концепции «cнизу–вверх» // Вісник Одеського держ. екологічного ун-ту.- 2012, В. 14.- С. 197 – 206.
  2. Landauer Rolf. Spatial variation of currents and fields due to localized scatterers in metallic conduction // IBM J. Res. Dev. – 1957. – V. 1, N 3. – P. 223 – 231.
  3. Landauer Rolf. Electrical resistance of disordered onedimensional lattices // Philos. Mag. – 1970. – V. 21. – P. 863 – 867.
  4. Landauer Rolf. Spatial variation of currents and fields due to localized scatterers in metallic conduction // J. Math. Phys. – 1996. – V. 37, N 10. – P. 5259.
  5. Mitin Vladimir V., Kochelap Viatcheslav A., Stroscio Michael A. Introduction to Nanoelectronics: Science, Nanotechnology, Engineering, and Applications. – Cambridge: Cambridge University Press. – 2012. – pp. 346.
  6. Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. – Москва: Техносфера. – 2007. –368 с.
  7. Datta Supriyo. Electronic Transport in Mesoscopic Systems.- Cambridge: Cambridge University Press. – 2001. – pp. 377.
  8. Datta Supriyo. Quantum Transport: Atom to Transistor. – Cambridge: Cambridge University Press. – 2005. – pp. 404.
  9. www.nanohub.org/topics/ElectronicsFromTheBottomUp
  10. Datta Supriyo. Lessons from Nanoelectronics: A New Perspective on Transport. – Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company. – 2012. – pp. 340.
  11. Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. – Москва: Техносфера. – 2007. –368 с.
  12. Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники. – Москва: Логос. – 2006. – 496 с.
  13. Lundstrom M., Guo Jing. Nanoscale Transistors: Physics, Modeling, and Simulation. – Berlin: Springer. – 2006. – pp. 300.
  14. Hoefflinger Bernd (Editor). Chips 2020: A Guide to the Future of Nanoelectronics (Frontiers Collection). – Berlin: Springer-Verlag. – 2012. – pp. 505.
  15. Nazarov Yuli V., Blanter Yaroslav M. Quantum Transport. Introduction to nanoscience.– Cambridge: Cambridge University Press. – 2009. – pp. 590.
  16. Berg Howard C. Random walks in biology. – Princeton: Princeton University Press. – 1993. – pp. 152.
Завантажити повний текст (PDF)