Від балістичної провідності до дифузійної в узагальненій моделі електронного транспорту в мікро- і наноелектроніки

Автори: Кругляк Ю.О., Кострицька Л.С.

Рік: 2016

Випуск: 20

Сторінки: 78-90

Анотація

У рамках транспортної моделі Ландауера – Датти – Лундстрома розглядається обчислення провідності резисторів будь-якої розмірності, будь-якого масштабу і довільної дисперсії, що працюють в балістичному або  дифузійному режимі  поблизу 0 K, так і при більш високих температурах. Також обговорюється і понині широко використовуване поняття мобільності, дисипація тепла і падіння напруги в балістичних резисторах.

Теги: балістичний режим; дифузійний режим; електрічна провідність; нанофизика; наноэлектроника

Список літератури

  1. Кругляк Ю.А. Обобщенная модель электронного транспорта Ландауэра – Датты – Лундстрома //Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2013. – Вип. 11, №3. – С. 519 – 549; Erratum, Ibid, 2014, Вып. 12, № 2, С.
  2. Pierret R.F. Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA: Addison–Wesley, 1996.
  3. Van WeesB.J., vanHouten H., Beenakker C.J., Williamson J.G., Kouwenhoven L.P., van der Marel D., Foxon C.T. Quantized Conductance of Point Contacts in a Two-Dimensional Electron Gas. Phys. Rev. Lett., 1988, Vol. 60, no. 9, рр. 848–850.
  4. Holcomb D.F. Quantum Electrical Transport in samples of limited dimensions. J. Phys., 1999, vol. 67, no. 4, 278 p.
  5. Cvijovic D. Fermi – Dirac and Bose – Einstein functions of negative integer order. Math. Phys., 2009, vol. 161, no. 3, 163 p.
  6. Dingle R.. The Fermi – Dirac Integrals. Scientific Res., 1957, vol. 6, no. 1, 225 p.
  7. .Kim R, M.S. Lundstrom. Notes on Fermi – Dirac Integrals. http://nanohub.org/resources/5475.
  8. Lundstrom Mark. Fundamentals of Carrier Transport, 2nd Ed. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 2000.
  9. Peter Yu, Manuel Cardona. Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Berlin: Springer, 2010.
  10. Shur M.S. Low Ballistic Mobility in GaAs HEMTs. IEEE Electron Dev. Lett., 2002, vol. 23, no. 9, 511 p.
  11. Jing Wang, Mark Lundstrom. Ballistic Transport in High Electron Mobility Transistors. IEEE Trans. Electron Dev., 2003, vol. 50, no. 7, 1604 p.
  12. АшкрофтН. Физика твердого тела /Н. Ашкрофт, Н. Мермин.- М: Мир, 1979.
  13. Supriyo Datta. Electronic Transport in Mesoscopic Systems. Cambridge: Cambridge University Press, 2001.
  14. Zhen Yao, .Kane C.L, .Dekker C. High-Field Electrical Transport in Single-Wall Carbon Nanotubes, Rev. Lett., 2000, vol. 84, 13, 2941 p.
  15. Lundstrom M., Jeong. Near-Equilibrium Transport: Fundamentals and Applications. Hackensack, New Jersey: World Scientific Publishing Company, 2013; http://www.nanohub.org/resources/11763).
Завантажити повний текст (PDF)